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真空镀膜之多弧离子镀 ：该装置的优点是阴极电弧源既是蒸发源和离化源 ,又是加热源和轰击源,不用熔池,弧源可任意方位,多源布置。离化率高,一般可达60%-80%蒸发沉积速率快, 入射粒子能量高,沉积膜的质量和附着性能好。可蒸发各种导电材料,金属或合金, 成份不受限制。能进行反应镀膜,缺点是易于产生液滴,组织不致密。电阻加热方式的缺点是：加热所能达到的z高温度有限，加热器的寿命也较短。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 ：

偏压：偏压施加于工件上，在辉光清洗时工件（阴极）与炉体之间产生辉光放电，部分气被电子离化产生离子，离子（带正电）在负偏压作用下受工件吸引轰击清洗工件表面，偏压越大，对工件的轰击净化越干净，但同时工件本身的温升也越大，特别是尖角位棱角位置；而离子镀则能均匀地绕镀到零件的背面和内孔中，带电离子则好比坐上了直升飞机，能够沿着规定的航线飞抵其活动半径范围内的任何地方。在离子轰击中用于加速离子，提高离子轰击工件表面的能量，去除表面氧化层和吸附物，达到提高膜层结合力的作用。

真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。

真空蒸镀是将沉积材料与工件同放在真空室中，然后加热沉积材料使之迅速熔化蒸发，当蒸发原子与冷工件表面接触后便在工件表面上凝结形成具有一定厚度的沉积层日。