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真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：

电子的运动路径不仅很长，而且被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，在该区中电离出大量的离子用来轰击靶材，从而实现了磁控溅射沉积速率高的特点。随着碰撞次数的增加，电子的能量逐渐降低,同时逐步远离靶面。低能电子沿着磁力线来回振荡，待电子能量将耗尽时，在电场的作用下终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传给基片的能量很小，致使基片温升较低。在离子轰击中用于加速离子，提高离子轰击工件表面的能量，去除表面氧化层和吸附物，达到提高膜层结合力的作用。由于磁极轴线处电场与磁场平行，电子将直接飞向基片。但是在磁控溅射装置中， 磁极轴线处离子密度很低， 所以这类电子很小，对基片温升作用不大。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 ：弧靶电流：弧靶电流越大，靶材蒸发量越大，靶面温度越高，冷却越差，弧靶产生的液滴大颗粒越多，膜层外观越差，膜层中的缺陷越多。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 ：

偏压：偏压施加于工件上，在辉光清洗时工件（阴极）与炉体之间产生辉光放电，部分气被电子离化产生离子，离子（带正电）在负偏压作用下受工件吸引轰击清洗工件表面，偏压越大，对工件的轰击净化越干净，但同时工件本身的温升也越大，特别是尖角位棱角位置；离子镀密度大，无气孔但膜层缺陷较多，附着性很好，内应力视工艺条件而定，绕射性较好。在离子轰击中用于加速离子，提高离子轰击工件表面的能量，去除表面氧化层和吸附物，达到提高膜层结合力的作用。