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真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：

磁控溅射的基本原理是电子在电场作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞，若电子具有足够的能量时， 则电离出离子和另一个电子（二次电子）。电子飞向基片，离子在电场作用下加速飞向阴极 （溅射靶） 并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。比如含有j基（Me化学式-CH3)的化合物，因成分中含有碳氢基团，都属于有机类物质。在溅射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉积在基片上形成薄膜， 二次电子在加速飞向基片时受磁场的洛仑兹力作用以摆线和螺旋线状的复合形式在靶表面作圆周运动。

从镀膜的原理及特点看，真空蒸镀工件不带电，真空条件下金属加热蒸发沉积到工件表面，沉积粒子的能量与蒸发时的温度对应。溅射的工件为阳极，靶为阴极，利用原子的溅射作用把靶材原子击出而沉积在工件表面上，沉积原子的能量由被溅射原子的能量分布决定。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。离子镀的工件为阴极，蒸发源为阳极，进入辉光放电空间的金属原子离子化后奔向工件，并在工件表面沉积成膜，沉积过程中离子对基片表面、膜层与基片的界面以及膜层本身都发生轰击作用，粒子的能量决定于阴极上所加的电压。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 ：

在膜层沉积时，用于增加离子能量，促进和改善薄膜生长，提高膜基结合力。

偏压越大离子附加能量越强，沉积过程中对膜层的轰击净化作用越明显，膜层越致密，同时颜色会越浅，膜层L值（亮度）会增加，显微硬度会增加、同时膜层外观粗糙度会变差，沉积过程中工件和膜层温升越大，偏压太大可能使工件变形受伤，或产生热应力崩膜。

反应溅射就是在反应气体环境中镀膜，溅射过程中靶材会与溅射气体发生化学反应。反应溅射一般沉积不导电的膜层，例如：Snox,ZnOx,Siox,SiNx等。在反应溅射气氛中，加入工作气体越多，溅射速率越高，当加入的工作气体过多时，反应气体来不急将所有溅射出来的原子反应掉，膜层内就会含有金属，我们把这种状态叫翻转。在反应溅射系统中，一般都加入Ar加速反应速度，即提高溅射速率。在反应溅射气氛中，加入工作气体越多，溅射速率越高，当加入的工作气体过多时，反应气体来不急将所有溅射出来的原子反应掉，膜层内就会含有金属，我们把这种状态叫翻转。在反应溅射过程中，无论翻转与正常状态，靶的溅射速率都没有不反应溅射速率高。