肇庆LED灯反光杯加工价格*** 锦城镀膜公司

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 ：

偏压：偏压施加于工件上，在辉光清洗时工件（阴极）与炉体之间产生辉光放电，部分气被电子离化产生离子，离子（带正电）在负偏压作用下受工件吸引轰击清洗工件表面，偏压越大，对工件的轰击净化越干净，但同时工件本身的温升也越大，特别是尖角位棱角位置；物理l气相沉积（真空镀膜）基本方法：从膜层特点看，真空蒸镀低温时密度小但表面光滑、气孔低温时多、附着性不太好、内应力为拉应力绕射性差。在离子轰击中用于加速离子，提高离子轰击工件表面的能量，去除表面氧化层和吸附物，达到提高膜层结合力的作用。

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靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响

靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。

靶功率；但是在磁控溅射装置中，磁极轴线处离子密度很低，所以这类电子很小，对基片温升作用不大。磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量也越大，沉积速率越快，膜层容易上厚度和硬度，同时工件温升也大，过高的功率会使沉积速率太快，粒子来不及表面迁移和扩散，易形成阴影效应，膜层会比较疏松，应力较大。