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真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：

磁控溅射的基本原理是电子在电场作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞，若电子具有足够的能量时， 则电离出离子和另一个电子（二次电子）。电子飞向基片，离子在电场作用下加速飞向阴极 （溅射靶） 并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉积在基片上形成薄膜， 二次电子在加速飞向基片时受磁场的洛仑兹力作用以摆线和螺旋线状的复合形式在靶表面作圆周运动。真空镀膜技术是使置待镀金属和被镀塑料制品位于真空室内，采用一定方法加热待镀材料，使金属蒸发或升华，金属蒸汽遇到冷的塑料制品表面凝聚成金属薄膜。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 ：占空比：占空比是指脉冲偏压的通断时间比，占空比越大，同一个周期时间内偏压输出时间越长，增大占空比可以提高离子轰击的能量，有利于提高膜基结合力和膜层致密性和膜层的硬度，但会提高工件的温升；真空镀膜技术在塑料制品上的应用***，真空镀膜机厂表示，塑料具有易成型，成本低，质量轻，不腐蚀等特点，塑料制品应用广泛，但因其缺点制约了扩大应用。减小占空比有利于抑制打火损伤和降低工件表面的温度、辉光放电清洗和离子轰击的效果。

真空镀膜的形式：蒸发镀膜

工艺原理：

4）沉积原子之间产生两维碰撞，形成簇团，有的在表面停留一段时间后再蒸发；

5）原子簇团与扩散原子相碰撞，或吸附单原子，或放出单原子，这种过程反复进行；

6）当原子数超过某一临界值时就变为稳定核，再不断吸附其他扩散原子而逐步长大，后与邻近稳定核合并进而变成连续膜。

普通真空镀膜时，蒸发料粒子大约只以一个电子伏特的能量向工件表面蒸镀，在工件表面与镀层之间，形成的界面扩散深度通常仅为几百个埃（10000埃=1微米=0.0001厘米）。而离子镀时，蒸发料粒子电离后具有三千到五千电子伏特的动能。当其高速轰击工件时，不但沉积速度快，而且能够穿透工件表面，形成一种注入基体很深的扩散层，离子镀的界面扩散深度可达四至五微米，也就是说比普通真空镀膜的扩散深度要深几十倍，甚至上百倍，因而彼此粘附得特别牢。镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。