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真空镀膜之多弧离子镀 ：该装置的优点是阴极电弧源既是蒸发源和离化源 ,又是加热源和轰击源,不用熔池,弧源可任意方位,多源布置。离化率高,一般可达60%-80%蒸发沉积速率快, 入射粒子能量高,沉积膜的质量和附着性能好。可蒸发各种导电材料,金属或合金, 成份不受限制。离子轰击：指利用高能高密度的金属离子流和ya离子流对工件进行离子轰击清洗，能有效去除工件表面的氧化物。能进行反应镀膜,缺点是易于产生液滴,组织不致密。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

占空比：占空比是指脉冲偏压的通断时间比，占空比越大，同一个周期时间内偏压输出时间越长，增大占空比可以提高离子轰击的能量，有利于提高膜基结合力和膜层致密性和膜层的硬度，但会提高工件的温升；反应溅射一般沉积不导电的膜层，例如：Snox,ZnOx,Siox,SiNx等。减小占空比有利于抑制打火损伤和降低工件表面的温度、辉光放电清洗和离子轰击的效果。

真空度：真空度是指处于真空状态下气体的稀薄程度,用压强表示,压强越低,其稀薄程度越大,真空度越高。镀膜过程中,真空度主要通过控制ya气流量来改变。

真空镀膜的形式：蒸发镀膜

工艺原理：

4）沉积原子之间产生两维碰撞，形成簇团，有的在表面停留一段时间后再蒸发；

5）原子簇团与扩散原子相碰撞，或吸附单原子，或放出单原子，这种过程反复进行；

6）当原子数超过某一临界值时就变为稳定核，再不断吸附其他扩散原子而逐步长大，后与邻近稳定核合并进而变成连续膜。