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真空镀膜之多弧离子镀 ：该装置的优点是阴极电弧源既是蒸发源和离化源 ,又是加热源和轰击源,不用熔池,弧源可任意方位,多源布置。当其高速轰击工件时，不但沉积速度快，而且能够穿透工件表面，形成一种注入基体很深的扩散层，离子镀的界面扩散深度可达四至五微米，也就是说比普通真空镀膜的扩散深度要深几十倍，甚至上百倍，因而彼此粘附得特别牢。离化率高,一般可达60%-80%蒸发沉积速率快, 入射粒子能量高,沉积膜的质量和附着性能好。可蒸发各种导电材料,金属或合金, 成份不受限制。能进行反应镀膜,缺点是易于产生液滴,组织不致密。

真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：

磁控溅射的基本原理是电子在电场作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞，若电子具有足够的能量时， 则电离出离子和另一个电子（二次电子）。真空镀膜之多弧离子镀：电弧电流一般为几安至几百安,工作电压为10-25V,这时阴极表面的全部电流集中在一个或多个很小的部位,形成明亮的阴极弧斑,阴极弧斑的直径为0。电子飞向基片，离子在电场作用下加速飞向阴极 （溅射靶） 并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉积在基片上形成薄膜， 二次电子在加速飞向基片时受磁场的洛仑兹力作用以摆线和螺旋线状的复合形式在靶表面作圆周运动。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

离子轰击：指利用高能高密度的金属离子流和ya离子流对工件进行离子轰击清洗，能有效去除工件表面的氧化物；但需注意工件温升过热退火和轰出表面缺陷。

本底真空度: 本底真空度越高炉内杂气量(包括水气)越少,这保证镀膜时反应气体的纯度,从而保证膜层颜色的纯正和光泽鲜亮。一般本底真空应该进入5-7*10-3

靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差

辉光清洗：对工件施加负偏压，产生辉光放电，利用ya离子轰击工件表面，这种辉光放电清洗作用比较柔和，一般采取由弱到强的轰击清洗顺序，是怕工件太脏时一开始就强轰击，可能产生强烈的打火而损伤工件。