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发布时间:2020-08-16 05:09:00 作者:锦城镀膜
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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响:
基体温度:镀膜时基体温度直接影响膜层的结构、致密性和附着力,温度可用T/Tm值来确定,如;反应溅射就是在反应气体环境中镀膜,溅射过程中靶材会与溅射气体发生化学反应。靶材为钛,其熔点为1670℃,基体温度应该选择TI/TM=0.15-0.25即 250-417℃才能得到理想的晶粒组织。考虑到沉积粒子受负偏压作用加速轰击工件还会引起温升,基体可选在250-300℃
弧靶电流:弧靶电流越大,靶材蒸发量越大,靶面温度越高,冷却越差,弧靶产生的液滴大颗粒越多,膜层外观越差,膜层中的缺陷越多。
本底漏率:本底漏率是指真空室在未加入气体单位之前本身的单位漏率,漏率越大,进入炉内的杂气就越多,不管真空度多高,这会严重影响镀膜过程中炉内气氛的纯度和工件表面的洁净度,会破坏膜层的结合力和膜层颜色的纯度。
镀膜工艺
镀膜工艺是用不同的材料在基片表面形成新表面的方法,镀膜方法有真空蒸发、真空溅射、化学还原、溶胶凝胶等。下面说一下阴极真空磁控溅射法,通过磁控溅射,在浮法玻璃的表面镀一层或多层金属、或金属化合物薄膜。离子镀的工件为阴极,蒸发源为阳极,进入辉光放电空间的金属原子离子化后奔向工件,并在工件表面沉积成膜,沉积过程中离子对基片表面、膜层与基片的界面以及膜层本身都发生轰击作用,粒子的能量决定于阴极上所加的电压。通过镀膜可以改变基片的某些属性,如光学性能、电学性能、机械性能、化学性能、装饰性能等。
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