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真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：磁控溅射的基本原理就是以磁场改变电子运动方向， 束缚和延长电子的运动轨迹， 从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量。因此在形成高密度等离子体的异常辉光放电中正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效，同时受正交电磁场的束缚的电子只能在其能量将要耗尽时才能沉积在基片上。这就是磁控溅射具有 “低温”、“高速”两大特点的机理。它是离子溅射镀膜的基础，即离子溅射镀膜中的入射离子一般利用气体放电法得到。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

离子轰击：指利用高能高密度的金属离子流和ya离子流对工件进行离子轰击清洗，能有效去除工件表面的氧化物；但需注意工件温升过热退火和轰出表面缺陷。

本底真空度: 本底真空度越高炉内杂气量(包括水气)越少,这保证镀膜时反应气体的纯度,从而保证膜层颜色的纯正和光泽鲜亮。一般本底真空应该进入5-7*10-3

电子束蒸发源蒸镀法

将蒸发材料放入水冷铜坩锅中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜，是真空蒸发镀膜技术中的一种重要的加热方法和发展方向。电子束蒸发克服了一般电阻加热蒸发的许多缺点，特别适合制作熔点薄膜材料和高纯薄膜材料。