真空镀膜反光杯厂家优惠报价【锦城镀膜】

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真空镀膜之多弧离子镀 ：

电弧电流一般为几安至几百安,工作电压为10-25V,这时阴极表面的全部电流集中在一个或多个很小的部位 , 形成明亮的阴极弧斑 , 阴极弧斑的直径为0.01-100um, 并以高达100m/s的速度在阴极靶表面随机运动 , 也可以利用磁场控制阴极弧斑的运动。在阴极弧斑的前方是高密度的金属等离子体, 由于电子向阳极快速移动而使阴极斑点前方出现离子堆积即形成正空间电荷 , 从而在阴极附近形成极强的电场, 导致场电子发射以维持弧光放电。离子轰击：指利用高能高密度的金属离子流和ya离子流对工件进行离子轰击清洗，能有效去除工件表面的氧化物。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响

靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。

靶功率；现有镀膜工艺，多数均要求事先对工件进行严格清洗，既复杂又费事。磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量也越大，沉积速率越快，膜层容易上厚度和硬度，同时工件温升也大，过高的功率会使沉积速率太快，粒子来不及表面迁移和扩散，易形成阴影效应，膜层会比较疏松，应力较大。

真空镀膜技术优点表现在哪里？在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积（CVD）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长困难及不适用的材料薄膜沉积而且可以获得大面积非常均匀的薄膜。真空镀膜技术在塑料制品上的应用广泛，真空镀膜机厂表示，塑料具有易成型，成本低，质量轻，不腐蚀等特点，塑料制品应用广泛，但因其缺点制约了扩大应用。通过真空镀膜技术的应用，使塑料表面金属化，将有机材料和无机材料结合起来，大大提高了它的物理、化学性能。