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真空镀膜之多弧离子镀 ：

部分离子对阴极的轰击又使阴极斑点局部快速蒸发并在空间迅速离化,使这些阴极弧斑点变成微小蒸发源,这些微小蒸发源在磁场和屏蔽绝缘的作用下束缚在阴极靶面做无规则运动,从而形成大面积均匀的蒸发源,喷发出电子、离子、熔融的金属材料和原子。真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与加工的新技术，是表面工程技术领域的重要组成部分。大部分是离子和熔融粒子,在偏压作用下,离子流在基体上凝聚成金属、合金或化合物薄膜。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

弧靶电流：弧靶电流越大，靶材蒸发量越大，靶面温度越高，冷却越差，弧靶产生的液滴大颗粒越多，膜层外观越差，膜层中的缺陷越多。

本底漏率：本底漏率是指真空室在未加入气体单位之前本身的单位漏率，漏率越大，进入炉内的杂气就越多，不管真空度多高，这会严重影响镀膜过程中炉内气氛的纯度和工件表面的洁净度，会破坏膜层的结合力和膜层颜色的纯度。

现有镀膜工艺，多数均要求事先对工件进行严格清洗，既复杂又费事。然而，离子镀工艺自身就有一种离子轰击清洗作用，并且这一作用还一直延续于整个镀膜过程。清洗效果***，能使镀层直接贴近基体，有效地增强了附着力，简化了大量的镀前清洗工作。