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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 ：

靶功率；磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量也越大，沉积速率越快，膜层容易上厚度和硬度，同时工件温升也大，过高的功率会使沉积速率太快，粒子来不及表面迁移和扩散，易形成阴影效应，膜层会比较疏松，应力较大。在离子轰击中用于加速离子，提高离子轰击工件表面的能量，去除表面氧化层和吸附物，达到提高膜层结合力的作用。

靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。

真空镀膜的形式：蒸发镀膜

工艺原理：

1）在真空室中，膜料被加热变成蒸发原子，蒸发原子在真空条件下不与残余气

体分子碰撞而到达工件表面；

2）蒸发原子与基材碰撞后一部分被反射，另一部分被吸附；

3）吸附原子在基材表面发生表面扩散。