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真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：

电子的运动路径不仅很长，而且被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，在该区中电离出大量的离子用来轰击靶材，从而实现了磁控溅射沉积速率高的特点。随着碰撞次数的增加，电子的能量逐渐降低,同时逐步远离靶面。电子束蒸发源蒸镀法将蒸发材料放入水冷铜坩锅中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜，是真空蒸发镀膜技术中的一种重要的加热方法和发展方向。低能电子沿着磁力线来回振荡，待电子能量将耗尽时，在电场的作用下终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传给基片的能量很小，致使基片温升较低。由于磁极轴线处电场与磁场平行，电子将直接飞向基片。但是在磁控溅射装置中， 磁极轴线处离子密度很低， 所以这类电子很小，对基片温升作用不大。

从镀膜的原理及特点看，真空蒸镀工件不带电，真空条件下金属加热蒸发沉积到工件表面，沉积粒子的能量与蒸发时的温度对应。镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：辉光清洗：对工件施加负偏压，产生辉光放电，利用ya离子轰击工件表面，这种辉光放电清洗作用比较柔和，一般采取由弱到强的轰击清洗顺序，是怕工件太脏时一开始就强轰击，可能产生强烈的打火而损伤工件。溅射的工件为阳极，靶为阴极，利用原子的溅射作用把靶材原子击出而沉积在工件表面上，沉积原子的能量由被溅射原子的能量分布决定。离子镀的工件为阴极，蒸发源为阳极，进入辉光放电空间的金属原子离子化后奔向工件，并在工件表面沉积成膜，沉积过程中离子对基片表面、膜层与基片的界面以及膜层本身都发生轰击作用，粒子的能量决定于阴极上所加的电压。

物理l气相沉积（真空镀膜）基本方法 ：

从膜层特点看，真空蒸镀低温时密度小但表面光滑、气孔低温时多、附着性不太好、内应力为拉应力绕射性差；溅射密度大、气孔少但混入溅射气体较多、附着性较好、内应力为压应力、绕射性差；离子镀密度大 ，无气孔但膜层缺陷较多，附着性很好，内应力视工艺 条件而定，绕射性较好。离子镀时，蒸发料粒子是以带电离子的形式在电场中沿着电力线方向运动，习而凡是有电场存在的部位，均能获得良好镀层，这比普通真空镀膜只能在直射向上获得镀层***得多。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

弧靶电流：弧靶电流越大，靶材蒸发量越大，靶面温度越高，冷却越差，弧靶产生的液滴大颗粒越多，膜层外观越差，膜层中的缺陷越多。

本底漏率：本底漏率是指真空室在未加入气体单位之前本身的单位漏率，漏率越大，进入炉内的杂气就越多，不管真空度多高，这会严重影响镀膜过程中炉内气氛的纯度和工件表面的洁净度，会破坏膜层的结合力和膜层颜色的纯度。